网红款使用keysightb1505a评估gan电流崩塌效应
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使用 b1505a 评估 gan 电流崩塌效应
agilent b1505a 功率器件分析仪/曲线追踪仪加速您的氮化镓 (gan)
功率器件开发
b1505a 应用简报
完全集成、现成的 gan 电流崩塌解决方案
在 gan 器件中，由电子俘获或释放所引起的电流崩塌效应可视为瞬态现象，在施
加高压之后，可通过降低电流消耗进行补偿。由于电流崩塌效应限制了 gan 器件的性
能和可靠性，研究人员对此表现出强烈的关注。糟糕的是，迄今为止，由于市面上没
有兼具以下全部功能的适当设备，所以很难对电流崩塌效应获得详细了解。本文概述
了 b1505a 如何结合使用 n1267a 高电压源监测器单元/强电流源监测器单元快速开关
来应对 gan 电流崩塌测量挑战。
b1505a gan 电流崩塌测量解决方案的关键特性
在广泛的时间间隔内执行动态导通电阻测量:
? off 状态至 on 状态的切换时间为20 μs
? 高速采样 (2 μs采样率)
? 长期变化测量 (长期测量模式)
宽泛的电压/电流量程与精密测量:
? 3000 v off 状态电压应力
? 20 a on 状态漏极电流
? 捕获电流测量结果，具有 6 位分辨率
gan 器件评测提高工作效率:
? 支持封装器件和晶圆上器件测试
? 预安装的应用测试可以快速启用 gan 电流崩塌测量
b1505a gan 电流崩塌测量解决方案设置
? b1513b hvsmu 用于在 off 状态下
施加高电压偏置。
? b1512a hcsmu 用于在 on 状态下
测量电流和施加电压。
? n1267a hvsmu/hcsmu 快速开关允许
hcsmu 和 hvsmu 模块的快速切换。
? hvsmu 和 hcsmu 模块同步操作，
器件从 off 状态切换到 on 状态
gan 电流崩塌测量的主要要求
? 在 off 状态中施加几百伏电压。
? 在移除高压之后，应当立即测量安培计的瞬时电流。
? 测量快速响应和缓慢响应。
b1505a gan 电流崩塌测量解决方案
b1505a gan 电流崩塌测量解决方案的关键特性
? off 状态下的最大应力电压: 3000 v
? on 状态下的最大漏极电流: 20 a (脉冲)，1 a (直流)
? off/on 状态切换时间: 最低20 μs
? 应力时间: 10 ms~655.35 s (通过编程可延长时间)
? on 状态测量持续时间
? 快速测量模式
? 20 a 量程: 最大 1 ms
? 1 a 量程: 最大 24 ms
? 分辨率: 2 μs~12μs (电压测量最低为6 μs)
? 测试点: 最多 4000 个点
? 长期测量模式
? 分辨率: 200μs~65.535 s
? 测试点: 最多 100,001 个点
? 可测量器件: fet、二极管
备注：
我们的优势：
品种齐全，货源充足，存库雄厚，服务快捷，维修能力强。
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